第三代半導(dǎo)體材料的典型代表碳化硅（Sic）具有寬的禁帶寬度、高的擊穿電場、高的熱導(dǎo)率、高的電子飽和速率及更高的抗輻射能力，是高溫、高頻、大功率應(yīng)用場合下理想的半導(dǎo)體材料。 

碳化硅基MOSFET尺寸可以減少同為電壓硅基MOSFET的十分之一，能夠使能量損耗降低為銅開關(guān)頻率硅基IGBT的30%，但該材料價(jià)格上相對(duì)高昂導(dǎo)致特斯拉在嚴(yán)控成本的理念上背道而馳，從而促使特斯拉汽車減少對(duì)該材料的依賴從而改進(jìn)下一代動(dòng)力系統(tǒng)。盡管特斯拉減少了對(duì)碳化硅的依賴但并不帶表會(huì)對(duì)未來行業(yè)有影響，主要原因是碳化硅是目前最為理想的技術(shù)，在新能源汽車領(lǐng)域，主驅(qū)逆變器、DC/DC轉(zhuǎn)化器、充電系統(tǒng)的車債充電機(jī)和充電樁等，通過碳化硅材料能夠很好的發(fā)揮降低損耗、減少模塊體積重量、提升續(xù)航能力。 

保時(shí)捷、特斯拉、比亞迪等新能源車企逐步采用碳化硅（SiC）方案，推動(dòng)了更多的新能源領(lǐng)域的車企通過碳化硅替代傳統(tǒng)硅基功率器件，實(shí)現(xiàn)了800V高壓快充技術(shù)，即提升了續(xù)航里程，也加速了800V架構(gòu)時(shí)代的布局。800V高壓平臺(tái)主流方案的解決促進(jìn)了AMB陶瓷基板成為碳化硅（Sic）芯片最佳的封裝材料，陶瓷基板加工可采用蝕刻加工，蝕刻出來的陶瓷基板能夠很好的保障產(chǎn)品特性，產(chǎn)品不變形，表面光滑細(xì)膩，特別是在高精密領(lǐng)域，蝕刻陶瓷基板成為主要的工藝選擇。

除了新能源汽車領(lǐng)域，未來碳化硅技術(shù)在太陽能光伏、5G通信、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)大范圍應(yīng)用，其中太陽能光伏逆變器通過碳化硅技術(shù)能夠延長逆變器壽命、滿足光伏電站特高壓輸電的需求。5G基建、特高壓、城際高壓和城際軌道交通、智能電網(wǎng)、大數(shù)據(jù)中心和工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)等方面全方位滲透。

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